Halbleiterdioden
Halbleitende Werkstoffe wie Ge, Si, GaP (Galliumphosphid), InAs (Indiumarsenid) oder InSb (Indiumantimonid) besitzen eine stark temperaturabhängige Leitfähigkeit, die allerdings nur in sehr reinen großräumigen Kristallen (Einkristalle) von Bedeutung ist.
Aus dem Inhalt:
[...] als Basisschicht hochdotiertes n-Si zu wählen, auf welchem man eine normaldotierte n-Si-Schicht unter Beibehaltung der Kristallorientierung aufwachsen lässt ( Epitaxie ), auf der dann eine p-Zone aufgebaut wird. Der große [...]
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