Halbleiterdioden
Halbleitende Werkstoffe wie Ge, Si, GaP (Galliumphosphid), InAs (Indiumarsenid) oder InSb (Indiumantimonid) besitzen eine stark temperaturabhängige Leitfähigkeit, die allerdings nur in sehr reinen großräumigen Kristallen (Einkristalle) von Bedeutung ist.
Aus dem Inhalt:
[...] Grenze. Derartige Dioden auf der Basis von Germanium und Silicium nennt man Spitzendioden . Zwischen 1950 und 1960 wurden verschiedene Verfahren zur Herstellung flächenhafter Übergänge entwickelt. [...]
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